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本申請要求年月日提交的印度專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述印度專利申請的公開內(nèi)容特此以全文引用的方式并入。本公開大體上涉及存儲器電路，且更具體地說，涉及允許并行測試多個存儲器單元的系統(tǒng)和方法。、當今集成電路中較高的時鐘頻率和較小的幾何尺寸已經(jīng)導致與速度相關(guān)的缺陷的增加，這些缺陷通常被稱為轉(zhuǎn)變延遲故障...

本公開涉及數(shù)據(jù)記錄器。、諸如飛行器的交通工具通常包括一個或多個推進系統(tǒng)(例如熱力引擎，諸如氣體渦輪引擎或往復式引擎)，以向推進系統(tǒng)和交通工具提供推力和/或電力。裝備健康監(jiān)測系統(tǒng)可以被集成在推進系統(tǒng)和/或交通工具內(nèi)，以使得能夠監(jiān)測推進系統(tǒng)的各種參數(shù)(諸如壓力、溫度和振動)。然而，這種裝備健康...

本公開的實施例大體上涉及存儲器子系統(tǒng)，且更具體來說，涉及存儲器子系統(tǒng)的存儲器裝置中的不同子塊的動態(tài)編程脈沖寬度。、存儲器子系統(tǒng)可包含存儲數(shù)據(jù)的一或多個存儲器裝置。存儲器裝置可為例如非易失性存儲器裝置及易失性存儲器裝置。一般來說，主機系統(tǒng)可利用存儲器子系統(tǒng)來將數(shù)據(jù)存儲于存儲器裝置處及從存儲器...

本發(fā)明有關(guān)于一種數(shù)據(jù)儲存裝置的主機接口的電路結(jié)構(gòu)，以有效減少數(shù)據(jù)儲存裝置內(nèi)部的信號傳送延遲。、隨著數(shù)據(jù)儲存裝置的科技在近幾年快速地成長，許多數(shù)據(jù)儲存裝置，如符合安全數(shù)位(secure?digital，縮寫為sd)/多媒體卡(multi?media?card，縮寫為mmc)規(guī)格、復合式快閃存...

本揭示涉及一種內(nèi)存裝置，且尤其涉及一種動態(tài)隨機存取內(nèi)存(dynamic?random-access?memory，dram)裝置。、動態(tài)隨機存取內(nèi)存(dynamic?random-access?memory，dram)裝置包括第一類別的dram芯片以及第二類別的dram芯片。動態(tài)隨機存取內(nèi)...

本發(fā)明關(guān)于一種時脈相位控制電路，其可有效控制用于取樣從存儲器裝置讀取的數(shù)據(jù)的時脈相位。、隨著數(shù)據(jù)儲存裝置的科技在近幾年快速地成長，許多數(shù)據(jù)儲存裝置，如符合安全數(shù)位(secure?digital，縮寫為sd)/多媒體卡(multi?media?card，縮寫為mmc)規(guī)格、復合式快閃存儲器(...

本發(fā)明涉及電源測試，尤其涉及一種電源測試系統(tǒng)與電源測試方法。、對于閃存控制芯片來說，其供電電路在工作時需要面對不同斜率、不同階梯的電流抽取。對此，若需要針對閃存控制芯片的供電電路進行測試，則需要負載能夠模擬閃存控制芯片進行讀、寫、擦除等操作時的狀況，而目前傳統(tǒng)測試設(shè)備難以精確復現(xiàn)相應(yīng)的測試...

本技術(shù)大體上涉及豎直堆疊式半導體存儲器裝置，且更具體來說，涉及用于減少系統(tǒng)級封裝的高帶寬存儲器裝置內(nèi)的熱斑的系統(tǒng)及方法。、電子設(shè)備(例如，處理器、存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)或其組合)可包含經(jīng)配置以存儲及/或處理信息的一或多個半導體電路。例如，所述設(shè)備可包含存儲器裝置，例如易失性存儲器裝置、非易...

、本申請總體上涉及模擬存儲器設(shè)備，并且更具體地涉及用于調(diào)制計算存儲器設(shè)備中的電導值的技術(shù)。、計算存儲器設(shè)備（或模擬存儲器設(shè)備）可以用于存內(nèi)計算。存內(nèi)計算硬件可以提高速度和能效，從而提供潛在的性能改進。模擬存儲器設(shè)備可以在存儲數(shù)據(jù)的相同位置（例如，在模擬存儲器中）執(zhí)行計算，而不將數(shù)據(jù)從存儲器...

本申請的實施例涉及集成電路及操作存儲器電路的方法。、半導體集成電路(ic)行業(yè)生產(chǎn)了各種各樣的數(shù)字器件，以解決許多不同領(lǐng)域的問題。其中一些數(shù)字器件，如存儲器宏，被配置為儲存數(shù)據(jù)。隨著ic變得越來越小和復雜，這些數(shù)字器件內(nèi)的導線電阻也會發(fā)生變化，從而影響這些數(shù)字器件的操作電壓和整體ic性能。...

本發(fā)明涉及存儲器數(shù)據(jù)讀取，特別是涉及一種亞閾值寄生自適應(yīng)三維相變存儲器數(shù)據(jù)讀取電路。、三維相變存儲器d?pcm是目前最先進的海量新型存儲器。d?pcm存儲單元由雙向閾值選通器（ots）和相變存儲pcm器件串聯(lián)而成。通過在ots器件的亞閾值進行讀取而不打開，能有效提高d?pcm存儲單元的壽命...

本公開涉及非易失性存儲器，具體地涉及一種跨溫操作方法和跨溫補償系統(tǒng)。、三維堆疊結(jié)構(gòu)的閃存（可簡稱為d?nand閃存）由于其較低的資源消耗和較高的數(shù)據(jù)存儲密度，被廣泛地應(yīng)用于車機系統(tǒng)、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心等場景。在這類應(yīng)用場景下，針對d?nand閃存的需求正從“室內(nèi)常溫穩(wěn)定工作”向“寬溫域乃至極...

本申請屬于光存儲，尤其涉及一種基于防爆與防粘黏的玻璃光盤及制作方法。、以熔融石英為代表的玻璃多維光存儲技術(shù)因其存儲容量大、數(shù)據(jù)壽命長達萬年等優(yōu)勢，在大數(shù)據(jù)歸檔存儲領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。玻璃材料具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和光學特性，能夠通過飛秒激光在三維空間內(nèi)制造微納結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)高密度、永久性的...

概括而言，本公開內(nèi)容涉及存儲裝置和存儲系統(tǒng)，并且具體而言，本公開內(nèi)容涉及管理存儲裝置中的編程操作。、閃存是可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性固態(tài)存儲介質(zhì)。閃存存儲器包括nor閃存存儲器和nand閃存存儲器?？梢酝ㄟ^閃存存儲器執(zhí)行各種操作(例如，編程(寫入)及擦除操作)以將每個...

本申請涉及自動控制領(lǐng)域，具體而言，涉及一種參考電壓的調(diào)整方法、內(nèi)存控制器、內(nèi)存讀寫系統(tǒng)及設(shè)備。、在目前的電子設(shè)備中，大多集成有處理器和內(nèi)存芯片。隨著性能需求的增加，內(nèi)存芯片帶寬越來越大，處理器與內(nèi)存芯片的內(nèi)存顆粒之間的數(shù)據(jù)鏈路速率隨之上升，鏈路上的誤碼率也隨之上升。、在內(nèi)存芯片的實際使用過...

本公開提供了非易失性存儲器的操作方法、存儲設(shè)備和存儲設(shè)備的操作方法。、半導體存儲器被分類為當中斷對其供電時丟失存儲在其中的數(shù)據(jù)的易失性存儲器（諸如靜態(tài)隨機存取存儲器（static?random?access?memory，sram）或動態(tài)ram（dynamicram，dram）），以及即使...

本公開的實施例總體涉及存儲，具體地涉及磁存儲設(shè)備及用于磁存儲設(shè)備的方法。、針對存儲、云計算等產(chǎn)品應(yīng)用，全球數(shù)據(jù)年均增長率逐年增加，其中大部分數(shù)據(jù)為非結(jié)構(gòu)化的溫冷數(shù)據(jù)。溫冷數(shù)據(jù)的開機率低但其重要性高，因此需要被良好地存儲。目前市面上常用的存儲設(shè)備為固態(tài)硬盤(solid-state?drive...

本申請實施例涉及存儲器件領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的讀干擾測試方法、測試設(shè)備及計算機程序產(chǎn)品。、固態(tài)硬盤（solid?state?drive，ssd）、嵌入式存儲器等存儲器件的數(shù)據(jù)主要存儲在閃存（nand?flash，nand）等非易失性存儲介質(zhì)中。隨著存儲器件制程的不斷微縮和多值存儲技術(shù)（...

本發(fā)明屬于數(shù)字集成電路領(lǐng)域，尤其是涉及一種基于單時鐘域sram的讀寫控制系統(tǒng)及方法。、隨著數(shù)字電路對于sram要求的不斷提高，sram同時讀寫的應(yīng)用場景越來越多，一般有同時讀寫需求時選用雙時鐘域（雙端口）sram。雙時鐘域sram與單時鐘域（單端口）sram相比，有著更加廣泛的應(yīng)用范圍。這...

本發(fā)明涉及半導體，特別是涉及一種efuse燒調(diào)良率檢測方法。、隨著半導體技術(shù)的快速發(fā)展，集成電路（ic）的制造工藝變得日益復雜，對器件性能的要求也隨之提高。在此背景下，電熔絲（efuse，electrical?fuse）作為一種一次性可編程的非易失性存儲元件，在集成電路中扮演著關(guān)鍵角色。e...